Galaxy S21 sẽ có bộ nhớ nhanh nhất thị trường smartphone

Đầu năm nay, Samsung đã lên kế hoạch sản xuất hàng loạt DRAM LPDDR5 16 GB trên quy trình 10 nm thế hệ thứ ba (1z) trong nửa cuối 2020.

Hôm 30/8, hãng công nghệ Hàn Quốc thông báo đã thiết lập một dây chuyền mới tại cơ sở Pyeongtaek, bắt đầu sản xuất số lượng lớn DRAM LPDDR5 16 GB đầu tiên trên thế giới.

Flagship tiếp theo của Samsung sẽ được trang bị DRAM LPDDR5 16 GB. Ảnh: Phone Arena.

Linh kiện này sẽ được sản xuất hàng loạt trên quy trình 10 nm (1z) thế hệ thứ ba, sử dụng công nghệ cực tím (EUV).

Theo Phó Chủ tịch phụ trách Sản phẩm và Công nghệ DRAM Jung-bae Lee, LPDDR5 16 GB đánh dấu một bước phát triển mới trong lĩnh vực sản xuất RAM di động, vượt qua rào cản của việc tăng dung lượng DRAM và mở ra những hướng đi mới.

Samsung tuyên bố bộ nhớ mới cung cấp tốc độ cao nhất và dung lượng lớn nhất từng có trên thiết bị di động. LPDDR5 trên quy trình này có thể truyền với tốc độ 6.400 Mb/s, nhanh hơn 16% so với bộ nhớ LPDDR5 12 GB hiện có trên các flagship như Galaxy Note20.

Việc sản xuất trên quy trình 1z ở mức độ thương mại cũng giúp module LPDDR5 mỏng hơn 30% so với phiên bản trước, smartphone sẽ có nhiều không gian trống hơn cho các thành phần khác, chẳng hạn như pin. Quy trình sản xuất LPDDR5 mới có thể tạo ra một gói 16 GB chỉ với 8 chip, trong khi phiên bản tiền nhiệm dựa trên quy trình 1y cần 12 chip để cung cấp cùng dung lượng.

Nhiều thông tin cho rằng Galaxy S21 (S30) và các thiết bị cầm tay cao cấp sắp ra mắt của Samsung sẽ có DRAM LPDDR5 16 GB. Ngoài ra, công ty này xác nhận sẵn sàng cung cấp cho các đối tác khác module RAM di động dung lượng lớn nhất, nhanh nhất thị trường.